CBRHD-04 TR13
Central Semiconductor · 封装：HDDIP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 65 C，采用 HDDIP 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录KBL608G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBL
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 180 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL 封装。DBLS157G RDG
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1.5A,1000V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.MBS4 RCG
Taiwan Semiconductor · 封装：MBS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS-4 封装。TS20P07G C2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 TS-6P-4 封装。DB156G
GeneSiC Semiconductor · 封装：DB
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。GBU605 D2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。KBU1005G T0
Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。GBU405 D2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。DBLS205G RD
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。DBLS159G RDG
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1.5A,1400V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BR82
GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-8
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-8 封装。DBLS107G RD
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。DB103G
GeneSiC Semiconductor · 封装：DB
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。CBR1-D060S TR13
Central Semiconductor · 封装：SMDIP
主要参数包括型号别名 CBR1-D060S PBFREE TR13，采用 SMDIP 封装。KBL402G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBL
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL 封装。KBPC1501W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 15 ARMB4S RCG
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-269AA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-269AA-4 封装。ABS15J RGG
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括单件重量 0.004233 oz，采用 ABS-4 封装。DBLS209G RD
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。