KBPC3510T
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-TW-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBPC-TW-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DBLS203G RDG
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 2A,200V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.KBL408G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBL
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL 封装。KBL610G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBL
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 180 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL 封装。MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor · 封装：MBS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS-4 封装。DB104G
GeneSiC Semiconductor · 封装：DB
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。ABS10 RGG
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A，采用 ABS-4 封装。KBPC3508T
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-T/W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 KBPC-T/W 封装。MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor · 封装：MBS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS-4 封装。D2SB60 D2G
Taiwan Semiconductor · 封装：SIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SIP-4 封装。RMB2S RCG
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 0.5A,200V,MINI SMD GP FR BRIDGE REC.DBLS207G RD
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。KBPC1510W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 15A StandardGBU15M
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。KBU807G T0
Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。CBRHD-01 TR13
Central Semiconductor · 封装：HDDIP
主要参数包括正向电流（If） 400 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 5 uA、反向电压（Vr） 100 V、型号别名 CBRHD-01 PBFREE TR13，采用 HDDIP 封装。KBU6A
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。KBL404G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBL
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL 封装。GBU805 D2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。DBLS104G RD
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。