KBU6D
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录KBU6M
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。GBU15K
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBPC5001 T0
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。GBPC4008 T0
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。GBPC5002 T0
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。GBPC3504W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400 V - 35 AGBPC3502W T0
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W-4 封装。GBPC5010M T0
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40-M-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-M-4 封装。CBRHDSH2-40 TR13
Central Semiconductor · 封装：HDDIP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 40 V、正向电压（Vf） 0.5 V、最大浪涌电流 30 A，采用 HDDIP 封装。KBPC3506T
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-T/W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 KBPC-T/W 封装。DB102G
GeneSiC Semiconductor · 封装：DB
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。KBPC5010T
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-T-4
主要参数包括端接方式 表面贴装（SMD/SMT），采用 KBPC-T-4 封装。KBPC5006T
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-T/W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 KBPC-T/W 封装。GBL005
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBL
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。BR64
GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-6
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-6 封装。BR108
GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-10
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-10 封装。BR68
GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-6
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-6 封装。GBU8G
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU8D
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。