GBL06 D2G
Taiwan Semiconductor · 封装：SIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SIP-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBU403 D2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。TS6P03G C2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS-6P-4 封装。KBL606G T0
Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 KBL-4 封装。GBPC4010 T0
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。GBU8J
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBPC2506 T0
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-4 封装。KBPC1504T
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-T-4
主要参数包括端接方式 表面贴装（SMD/SMT），采用 KBPC-T-4 封装。GBU4A
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBL06
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBL
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。DB107G
GeneSiC Semiconductor · 封装：DB
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。BR106
GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-10
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-10 封装。GBPC2510W
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBPC-TW-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-TW-4 封装。GBPC3506W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 35 AKBU1004
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。BR62
GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-6
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-6 封装。KBU8M
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。BR104
GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-10
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-10 封装。KBU1010
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。KBU8D
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。