GBU10B
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBU10D
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU10J
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU15G
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU15J
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。KBU401G T0
Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 KBU-4 封装。GBU10K
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU10G
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU10A
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。KBL406G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBL
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL 封装。KBL410G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBL
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL 封装。GBU806 D2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。CBR2-L080M
Central Semiconductor · 封装：CASE B-M
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 CASE B-M 封装。CBR2-L020M
Central Semiconductor · 封装：CASE B-M
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 CASE B-M 封装。GBU602 D2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。BR305
GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-3
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-3 封装。GBU606 D2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。GBU8B
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU607 D2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。KBL604G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBL
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 180 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。