芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

ABS15M RGG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括单件重量 0.004233 oz，采用 ABS-4 封装。

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GBL205 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 GBL-4 封装。

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DBL209G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。

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TS25P06G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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KBPC2502W

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 200 V - 25 A

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TS35P07G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。

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TS40P06G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 TS-6P-4 封装。

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TS20P05G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 TS-6P-4 封装。

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KBU402G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 KBU-4 封装。

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TS15P05G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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BR88

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-8

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-8 封装。

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KBJ2510G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ 封装。

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KBU8B

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。

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KBJ2508G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ 封装。

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KBU806G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。

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KBU804G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。

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KBU1001

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。

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KBU604G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 KBU-4 封装。

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GBU1006 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBU-4 封装。

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GBU604 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。