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分立与功率器件

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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

KBPC2506T

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-T/W

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 KBPC-T/W 封装。
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KBPC2504T

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-T/W

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 KBPC-T/W 封装。
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CBRHDSH1-100 TR13

Central Semiconductor · 封装：HDDIP

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 615 mV、最大浪涌电流 20 A，采用 HDDIP 封装。
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ABS8 RGG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A，采用 ABS-4 封装。
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RMB2S RC

Taiwan Semiconductor · 封装：MBS-4

主要参数包括正向电流（If） 0.8 A、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、长度 4.9 mm，采用 MBS-4 封装。
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YBS2204G RAG

Taiwan Semiconductor · 封装：YBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 0.91 V、最大浪涌电流 90 A，采用 YBS-4 封装。
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DBLS106G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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D2SB40 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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DBLS105G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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YBS2206G RAG

Taiwan Semiconductor · 封装：YBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.91 V、最大浪涌电流 90 A，采用 YBS-4 封装。
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DBLS106G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1A,800V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
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DB152G

GeneSiC Semiconductor · 封装：DB

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。
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KBP208

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBP

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBP 封装。
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KBL406G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-3

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL-3 封装。
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KBL405G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-3

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL-3 封装。
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CBR1-D010

Central Semiconductor · 封装：DIP-4

主要参数包括正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 100 V、型号别名 CBR1-D010 PBFREE，采用 DIP-4 封装。
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CBR1-D080

Central Semiconductor · 封装：DIP

主要参数包括正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 800 V、型号别名 CBR1-D080 PBFREE，采用 DIP 封装。
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