GBPC3508W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 35 AGeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400 V - 25 AGeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 35 AGeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 AGeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 25 AGeneSiC Semiconductor · 封装:KBPC-W-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 KBPC-W-4 封装。GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 25 AGeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 25 AGeneSiC Semiconductor · 封装:KBPC-W-4
主要参数包括端接方式 表面贴装(SMD/SMT),采用 KBPC-W-4 封装。GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 15 ATaiwan Semiconductor · 封装:GBPC40-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 40 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 GBPC40-4 封装。GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C。GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 35 AGeneSiC Semiconductor · 封装:KBPC-T/W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 KBPC-T/W 封装。GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 35 AGeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 35A StandardGeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400 V - 35 ATaiwan Semiconductor · 封装:DBLS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C,采用 DBLS-4 封装。Taiwan Semiconductor · 封装:TO-269AA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C,采用 TO-269AA-4 封装。GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 50 A型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。