芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

CBRHD-06 TR13

Central Semiconductor · 封装：HDDIP

主要参数包括正向电流（If） 400 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 5 uA、反向电压（Vr） 600 V、型号别名 CBRHD-06 PBFREE TR13，采用 HDDIP 封装。

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GBPC2508W

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 800 V - 25 A

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GBPC2502W

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 200 V - 25 A

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GBPC2504W

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 400 V - 25 A

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KBPC2510W

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 1000V 25A Standard

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KBU8G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。

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KBU1006

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。

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KBU6G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。

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CBRHDSH1-40L TR13

Central Semiconductor · 封装：HDDIP

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.2 A、峰值反向电压 40 V、正向电压（Vf） 390 mV、最大浪涌电流 20 A，采用 HDDIP 封装。

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CBRHDSH2-100 TR13

Central Semiconductor · 封装：HDDIP

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 610 mV，采用 HDDIP 封装。

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DB157G

GeneSiC Semiconductor · 封装：DB

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。

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KBU6B

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。

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KBPC3501T

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-T-4

主要参数包括端接方式表面贴装（SMD/SMT），采用 KBPC-T-4 封装。

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TS50P06G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 TS-6P-4 封装。

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KBPC2506W

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 600 V - 25 A

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KBU1004G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。

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KBU8K

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。

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KBU6K

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。

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KBU6J

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。

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GBPC3510W

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBPC-TW-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-TW-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。