DB107S-HF
Comchip Technology · 封装：DBS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DBS-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DB105ST-G
Comchip Technology · 封装：DBS-4
主要参数包括端接方式 表面贴装（SMD/SMT），采用 DBS-4 封装。VS-130MT160KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.63 V、最大浪涌电流 1180 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 INT-A-PAK 封装。VS-36MT140
Vishay Semiconductors · 封装：D-63
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.19 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-63 封装。VS-36MB10A
Vishay Semiconductors · 封装：D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 155 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-34 封装。VS-KBPC6005PBF
Vishay Semiconductors · 封装：D-72
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。VBO20-16AO2
IXYS · 封装：FO-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-A 封装。VBO20-12NO2
IXYS · 封装：FO-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-A 封装。VBO20-16NO2
IXYS · 封装：FO-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-A 封装。VBO20-08NO2
IXYS · 封装：FO-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-A 封装。VS-KBPC801PBF
Vishay Semiconductors · 封装：D-72
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。VS-26MT40
Vishay Semiconductors · 封装：D-34A
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.26 V、最大浪涌电流 375 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34A 封装。VS-KBPC8005PBF
Vishay Semiconductors · 封装：D-72
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。VS-51MT160KPBF
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、型号别名 51MT160KPBF。VS-90MT80KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 810 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 INT-A-PAK 封装。VS-70MT160KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.55 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 40 C，采用 INT-A-PAK 封装。VS-60MT80KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.55 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 INT-A-PAK 封装。VS-60MT120KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.55 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 INT-A-PAK 封装。VBO50-16NO7
IXYS · 封装：PWS-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-A 封装。VS-2KBB100R
Vishay Semiconductors · 封装：D-37
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-37 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。