VS-130MT120KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.63 V、最大浪涌电流 1180 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 INT-A-PAK 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录VS-GBPC2510A
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-A 封装。SDB155-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A。KBU2504-G
Comchip Technology · 封装：KBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBU-4 封装。DF04ST-G
Comchip Technology · 封装：DFS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。RS403GL-BP
Micro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 200V, 4AGBU4A-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU801-G
Comchip Technology · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。VS-2KBB10R
Vishay Semiconductors · 封装：D-37
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-37 封装。VS-KBPC601PBF
Vishay Semiconductors · 封装：D-72
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。VS-60MT160KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.55 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 INT-A-PAK 封装。VS-26MT20
Vishay Semiconductors · 封装：D-34A
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.26 V、最大浪涌电流 375 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34A 封装。B10S-HF
Comchip Technology · 封装：MBS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 MBS-4 封装。VS-GBPC2508A
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-A 封装。VS-GBPC3502W
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。VS-GBPC2510W
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。VS-GBPC3504W
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。VS-2KBB40
Vishay Semiconductors · 封装：D-37
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-37 封装。VS-26MT10
Vishay Semiconductors · 封装：D-34A
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.26 V、最大浪涌电流 375 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34A 封装。TS4K60-A D3
Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4K-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。