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分立与功率器件

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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

KBPC10005-G

Comchip Technology

主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 1.016596 oz。
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KBPC1004-G

Comchip Technology · 封装：$0.259

主要参数包括端接方式 Quick Connect，采用 $0.259 封装。
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GBU10005-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。
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VS-36MB140A

Vishay Semiconductors · 封装：D-34

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 155 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-34 封装。
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DF06ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。
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VBO125-12NO7

IXYS · 封装：PWS-C

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw Terminal、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 1800 A、最小工作温度 - 40 C，采用 PWS-C 封装。
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VBO25-16AO2

IXYS · 封装：FO-A

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.36 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C，采用 FO-A 封装。
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DF005SA-E3/77

Vishay Semiconductors · 封装：DFS

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。
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BR10005SG-G

Comchip Technology · 封装：BR8-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 BR8-4 封装。
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GBU6B-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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VS-90MT160KPBF

Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 810 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 INT-A-PAK 封装。
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VS-1KAB80E

Vishay Semiconductors · 封装：D-38-4

主要参数包括端接方式 通孔安装、型号别名 1KAB80E、单件重量 0.105822 oz，采用 D-38-4 封装。
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MB4M-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：MBM-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Leads、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MBM-4 封装。
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VS-2KBB80R

Vishay Semiconductors · 封装：D-37

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-37 封装。
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KBU407G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBU-4 封装。
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BR1010SG-G

Comchip Technology · 封装：BR8-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 BR8-4 封装。
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VBO72-16NO7

IXYS · 封装：PWS-D

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-D 封装。
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