VBO13-12NO2
IXYS · 封装:FO-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压(Vf) 1.8 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 40 C,采用 FO-A 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IXYS · 封装:FO-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压(Vf) 1.8 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 40 C,采用 FO-A 封装。Vishay Semiconductors · 封装:KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C,采用 KBU 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:MP-50
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.2 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 50 C,采用 MP-50 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:MP-50W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.2 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 50 C,采用 MP-50W 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC-A 封装。Taiwan Semiconductor · 封装:ABS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 0.4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C,采用 ABS-4 封装。Vishay Semiconductors · 封装:D-72
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.2 V、最大浪涌电流 137 A,采用 D-72 封装。Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 1.9 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 52 A。Vishay Semiconductors · 封装:D-46
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 55 A,采用 D-46 封装。IXYS · 封装:FO-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.36 V、最大浪涌电流 370 A、最小工作温度 - 40 C,采用 FO-A 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC-A 封装。Vishay Semiconductors · 封装:D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1600 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C,采用 D-34 封装。Diodes Incorporated · 封装:GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C,采用 GBJ 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。Comchip Technology · 封装:ABS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 0.95 V,采用 ABS-4 封装。IXYS · 封装:PWS-C
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw Terminal、峰值反向电压 1600 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 1800 A、最小工作温度 - 40 C,采用 PWS-C 封装。Comchip Technology · 封装:GBPC-W-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流(If) 50 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBPC-W-4 封装。Comchip Technology
主要参数包括端接方式 Quick Connect。Comchip Technology
主要参数包括端接方式 通孔安装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。