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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

GBU1004-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。
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GBPC3508-G

Comchip Technology · 封装：GBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-4 封装。
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GBPC3508W-G

Comchip Technology · 封装：GBPC-W-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-W-4 封装。
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PB61-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：PB-6

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 PB-6 封装。
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GBJ2504-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。
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BR1001SG-G

Comchip Technology · 封装：BR8-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 BR8-4 封装。
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GBU4D-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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Z4GP208L-HF

Comchip Technology · 封装：ABS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.92 V，采用 ABS-4 封装。
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VS-110MT160KPBF

Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw Terminal、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.4 V、最大浪涌电流 1000 A、最小工作温度 - 40 C，采用 INT-A-PAK 封装。
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VS-26MB20A

Vishay Semiconductors · 封装：D-34

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.11 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34 封装。
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GBL10-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：GBL

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
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VS-KBPC606PBF

Vishay Semiconductors · 封装：D-72

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。
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VS-2KBB60R

Vishay Semiconductors · 封装：D-37

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-37 封装。
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BR1004SG-G

Comchip Technology · 封装：BR8-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 BR8-4 封装。
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BR1008SG-G

Comchip Technology · 封装：BR8-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 BR8-4 封装。
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DF204-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。
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DB106S-G

Comchip Technology · 封装：DBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DBS-4 封装。
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