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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

DF210ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。
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VUO30-16NO3

IXYS · 封装：FO-F-B

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.01 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-F-B 封装。
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KBU6J-E4/51

Vishay Semiconductors · 封装：KBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。
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GBL04-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：GBL

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
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GBU2506-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBU-4 封装。
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VBO105-12NO7

IXYS · 封装：PWS-C-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw Terminal、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 1.5 kA、最小工作温度 - 40 C，采用 PWS-C-4 封装。
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VBO22-16NO8

IXYS · 封装：FO-B-B

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 2.2 V、最大浪涌电流 380 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-B-B 封装。
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MP5005-BP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 400 A、最大工作温度 + 150 C。
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DF10S-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。
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SDB105-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A。
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VS-160MT140KPBF

Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.49 V、最大浪涌电流 1500 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 INT-A-PAK 封装。
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GBJ1008-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。
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GBU4B-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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VUO62-14NO7

IXYS · 封装：PWS-D-5

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.4 kV、正向电压（Vf） 0.96 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-D-5 封装。
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VS-26MB140A

Vishay Semiconductors · 封装：D-34

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34 封装。
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VS-36MT60

Vishay Semiconductors · 封装：D-63

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.26 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-63 封装。
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