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199,570 条型号记录
每页 20 条

VBO25-12NO2

IXYS · 封装：FO-A

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.36 V、最大浪涌电流 370 A、最小工作温度 - 40 C，采用 FO-A 封装。
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GBPC5008-G

Comchip Technology · 封装：GBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-4 封装。
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VUE50-12NO1

IXYS · 封装：V1-A-Pack

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 2.55 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 V1-A-Pack 封装。
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APT40DR160HJ

Microchip / Microsemi · 封装：SOT-227-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-227-4 封装。
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VUO50-12NO3

IXYS · 封装：FO-F-B

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.9 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 40 C，采用 FO-F-B 封装。
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DB101S-G

Comchip Technology · 封装：DBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DBS-4 封装。
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GBL02-E3/51

Vishay Semiconductors · 封装：GBL

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
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VS-GBPC3508W

Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。
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VS-KBPC604PBF

Vishay Semiconductors · 封装：D-72

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。
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VS-1KAB10E

Vishay Semiconductors · 封装：D-38

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-38 封装。
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GBJ601-F

Diodes Incorporated · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。
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DF04S-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。
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DF005S-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。
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VUO125-12NO7

IXYS · 封装：PWS-C-5

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 0.97 V、最大浪涌电流 1.8 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-C-5 封装。
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VBE17-12NO7

IXYS · 封装：ECO-PAC 1

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 2.92 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 1 封装。
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KBPC3510W-G

Comchip Technology · 封装：KBPC-W-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBPC-W-4 封装。
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DB104S-G

Comchip Technology · 封装：DBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DBS-4 封装。
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