VS-KBPC108
Vishay Semiconductors · 封装:D-46
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 55 A,采用 D-46 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Vishay Semiconductors · 封装:D-46
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 55 A,采用 D-46 封装。Comchip Technology · 封装:DBS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DBS-4 封装。Vishay Semiconductors · 封装:D-37
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C,采用 D-37 封装。Vishay Semiconductors · 封装:D-46
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 55 A,采用 D-46 封装。Diodes Incorporated · 封装:KBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 65 C,采用 KBJ 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:BR-6
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.2 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 BR-6 封装。Comchip Technology
主要参数包括端接方式 通孔安装、单件重量 1 oz。Micro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 800V, 4ADiodes Incorporated · 封装:GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBJ 封装。Diodes Incorporated · 封装:KBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C,采用 KBJ 封装。Diodes Incorporated · 封装:GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C,采用 GBJ 封装。Diodes Incorporated · 封装:GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C,采用 GBJ 封装。Vishay Semiconductors · 封装:D-37
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C,采用 D-37 封装。Diodes Incorporated · 封装:GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:MP-50
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.2 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 50 C,采用 MP-50 封装。Comchip Technology · 封装:GBPC-W-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBPC-W-4 封装。Comchip Technology
主要参数包括端接方式 Quick Connect。Comchip Technology
主要参数包括端接方式 Quick Connect。Vishay Semiconductors · 封装:KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C,采用 KBU 封装。Comchip Technology · 封装:DF-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DF-4 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。