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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

VS-KBPC108

Vishay Semiconductors · 封装:D-46

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 55 A,采用 D-46 封装。

DB107S-G

Comchip Technology · 封装:DBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DBS-4 封装。

VS-2KBB20R

Vishay Semiconductors · 封装:D-37

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C,采用 D-37 封装。

VS-KBPC110

Vishay Semiconductors · 封装:D-46

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 55 A,采用 D-46 封装。

KBJ401G

Diodes Incorporated · 封装:KBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 65 C,采用 KBJ 封装。

MB251W-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装:BR-6

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.2 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 BR-6 封装。

KBPC3504W-G

Comchip Technology

主要参数包括端接方式 通孔安装、单件重量 1 oz。

GBJ2002-F

Diodes Incorporated · 封装:GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBJ 封装。

KBJ604G

Diodes Incorporated · 封装:KBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C,采用 KBJ 封装。

GBJ801-F

Diodes Incorporated · 封装:GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C,采用 GBJ 封装。

GBJ602-F

Diodes Incorporated · 封装:GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C,采用 GBJ 封装。

VS-2KBB20

Vishay Semiconductors · 封装:D-37

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C,采用 D-37 封装。

GBU4005

Diodes Incorporated · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

MP504W-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装:MP-50

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.2 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 50 C,采用 MP-50 封装。

GBPC3510W-G

Comchip Technology · 封装:GBPC-W-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBPC-W-4 封装。

KBU4G-E4/51

Vishay Semiconductors · 封装:KBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C,采用 KBU 封装。

DF005-G

Comchip Technology · 封装:DF-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DF-4 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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