VS-GBPC2502W
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录VS-KBPC806PBF
Vishay Semiconductors · 封装：D-72
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。DMA10I1600PA
IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier Single DiodeKBU6M-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。VS-KBPC804PBF
Vishay Semiconductors · 封装：D-72
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。VS-2KBP08
Vishay Semiconductors · 封装：D-44
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 63 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-44 封装。GBU15J-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括单件重量 0.142084 oz。KBPC1010W-G
Comchip Technology · 封装：KBPC-W-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBPC-W-4 封装。GBL06-G
Comchip Technology · 封装：2GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 2GBJ-4 封装。FBO40-12N
IXYS · 封装：ISOPLUS i4-PAC-5
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.09 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ISOPLUS i4-PAC-5 封装。KBPC3506-G
Comchip Technology
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 1.016596 oz。MP1004G-G
Comchip Technology · 封装：MP8-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 MP8-4 封装。GBU1001
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBL06-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。GBL04-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。GBJ1504-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。DF206-G
Comchip Technology · 封装：DFS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。B05S-G
Comchip Technology
主要参数包括正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C。DB105S-G
Comchip Technology · 封装：DBS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DBS-4 封装。VS-GBPC3506W
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。