KBP210G-G
Comchip Technology · 封装：KBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 KBP-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录VS-36MB40A
Vishay Semiconductors · 封装：D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.14 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34 封装。VS-26MB10A
Vishay Semiconductors · 封装：D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34 封装。GBU8005
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBJ604-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。GBU602
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。VS-26MT160
Vishay Semiconductors · 封装：D-34A
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.26 V、最大浪涌电流 375 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34A 封装。VS-36MB60A
Vishay Semiconductors · 封装：D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.14 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34 封装。VS-GBPC2508W
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。VS-2KBB40R
Vishay Semiconductors · 封装：D-37
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-37 封装。VS-KBPC106
Vishay Semiconductors · 封装：D-46
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 55 A，采用 D-46 封装。GBJ1501-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。GBJ6005-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。KBPC2504-G
Comchip Technology
主要参数包括端接方式 Quick Connect。GBU6M-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。VS-GBPC3506A
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-A 封装。RH02-T
Diodes Incorporated · 封装：MiniDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 30 A，采用 MiniDIP-4 封装。Z4GP206-HF
Comchip Technology · 封装：ABS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.95 V，采用 ABS-4 封装。SDB157-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A。VS-GBPC3504A
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-A 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。