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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

SDB157L-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装:SDBL-1-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SDBL-1-4 封装。

KBPC5006-G

Comchip Technology · 封装:KBPC

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流(If) 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 500 A,采用 KBPC 封装。

CBR1-D020S TR13

Central Semiconductor · 封装:SMDIP-4

主要参数包括型号别名 CBR1-D020S PBFREE TR13、单件重量 0.010582 oz,采用 SMDIP-4 封装。

GBPC5006W-G

Comchip Technology · 封装:GBPC-W-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流(If) 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBPC-W-4 封装。

KBL410-G

Comchip Technology · 封装:KBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBL-4 封装。

DB106-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装:DB-1

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C,采用 DB-1 封装。

DF210S-G

Comchip Technology · 封装:DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DFS-4 封装。

B4S-G

Comchip Technology

主要参数包括正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C。

B6S-G

Comchip Technology

主要参数包括正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C。

VS-KBPC101

Vishay Semiconductors · 封装:D-46

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 55 A,采用 D-46 封装。

GBJ810-F

Diodes Incorporated · 封装:GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C,采用 GBJ 封装。

GBJ2501-F

Diodes Incorporated · 封装:GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 65 C,采用 GBJ 封装。

KBJ601G

Diodes Incorporated · 封装:KBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C,采用 KBJ 封装。

DFB2505

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:TS-6P

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 TS-6P 封装。

MB6M-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装:MBM-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Leads、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C,采用 MBM-4 封装。

GBU8G-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

TBS22J-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装:TBS

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 2.2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 90 A,采用 TBS 封装。

VBO30-16NO7

IXYS · 封装:PWS-A-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压(Vf) 1.01 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 PWS-A-4 封装。

GBPC1204W

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:GBPC-W

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 12 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A,采用 GBPC-W 封装。

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