APT60DF60HJ
Microchip / Microsemi · 封装：SOT-227-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 60 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-227-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录RS407GL-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括单件重量 0.203319 oz。CDBHM2100L-G
Comchip Technology · 封装：MBS-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 0.85 V、最大浪涌电流 50 A，采用 MBS-2-4 封装。ABS6-G
Comchip Technology
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。VS-26MB80A
Vishay Semiconductors · 封装：D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.11 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34 封装。VS-26MB120A
Vishay Semiconductors · 封装：D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.11 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34 封装。KBPC1006W-G
Comchip Technology
主要参数包括端接方式 通孔安装。GBU1510-G
Comchip Technology · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。VS-2KBP005
Vishay Semiconductors · 封装：D-44
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 63 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-44 封装。BR1006SG-G
Comchip Technology · 封装：BR8-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 BR8-4 封装。UD3KB100-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：D3K-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 90 A，采用 D3K-4 封装。KBJ402G
Diodes Incorporated · 封装：KBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 65 C，采用 KBJ 封装。VS-KBPC802PBF
Vishay Semiconductors · 封装：D-72
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。GBPC1208W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。VS-2KBP04
Vishay Semiconductors · 封装：D-44
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 63 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-44 封装。GBJ806-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。GBJ1002-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。GBU402
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。B250C800DM-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFM-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 45 A、最小工作温度 - 40 C，采用 DFM-4 封装。SDB104-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。