芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

KBPC1010-G

Comchip Technology · 封装：KBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBPC-4 封装。

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RS404GL-BP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括单件重量 0.203319 oz。

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DF04-G

Comchip Technology · 封装：DF-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DF-4 封装。

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VUO105-12NO7

IXYS · 封装：PWS-C-5

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw Terminal、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 1.5 kA、最小工作温度 - 40 C，采用 PWS-C-5 封装。

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VUO70-16NO7

IXYS · 封装：FO-T-A

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-T-A 封装。

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VS-36MT40

Vishay Semiconductors · 封装：D-63

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.19 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-63 封装。

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GBJ1001-F

Diodes Incorporated · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。

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GBU1002

Diodes Incorporated · 封装：GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。

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KBL005-E4/51

Vishay Semiconductors · 封装：KBL

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBL 封装。

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KBL01-E4/51

Vishay Semiconductors · 封装：KBL

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBL 封装。

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GBJ3506-BP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括单件重量 0.242438 oz。

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KBP206G-G

Comchip Technology · 封装：KBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 KBP-4 封装。

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DF204ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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VUO50-16NO3

IXYS · 封装：FO-F-B

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.9 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 40 C，采用 FO-F-B 封装。

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VUE75-06NO7

IXYS · 封装：ECO-PAC 1-5

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.57 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 ECO-PAC 1-5 封装。

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GBJ2502-F

Diodes Incorporated · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。

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VS-KBPC602PBF

Vishay Semiconductors · 封装：D-72

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。

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DFB2510

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TS-6P

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P 封装。

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DFB25100

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TS-6P

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P 封装。

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KBP005G

Diodes Incorporated · 封装：KBP-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 KBP-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。