芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

GBJ1510-F

Diodes Incorporated · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。

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DF1504S

Diodes Incorporated · 封装：DFS

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。

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DB103-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：DB-1

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DB-1 封装。

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UD2KB100-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：D3K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 60 A，采用 D3K-4 封装。

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VUO110-16NO7

IXYS · 封装：PWS-E-5

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.04 V、最大浪涌电流 1.2 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-5 封装。

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VS-26MB40A

Vishay Semiconductors · 封装：D-34

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.11 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34 封装。

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GBPC15005W

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。

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GBPC1201W

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。

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GBJ804-F

Diodes Incorporated · 封装：SIP-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 SIP-4 封装。

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DF1508S-T

Diodes Incorporated · 封装：DFS

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。

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HDS10M-13

Diodes Incorporated · 封装：HDS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 60 A，采用 HDS-4 封装。

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GBU401

Diodes Incorporated · 封装：GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。

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VS-26MT100

Vishay Semiconductors · 封装：D-34A

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.26 V、最大浪涌电流 375 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34A 封装。

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KBP02G

Diodes Incorporated · 封装：KBP

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 65 C，采用 KBP 封装。

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DF02S-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：DFS

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFS 封装。

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KBU6D-E4/51

Vishay Semiconductors · 封装：KBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。

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DF06S-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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VBE55-06NO7

IXYS · 封装：ECO-PAC 1

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.57 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 1 封装。

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VS-KBPC808PBF

Vishay Semiconductors · 封装：D-72

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。

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KBU4D-E4/51

Vishay Semiconductors · 封装：KBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。