芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

VUO86-12NO7

IXYS · 封装：ECO-PAC 1

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 530 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 1 封装。

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UC3610DW

Texas Instruments · 封装：SOIC-16

主要参数包括工作温度范围 0 C to + 70 C、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最小工作温度 0 C，采用 SOIC-16 封装。

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GBPC35005W

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。

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CD-MBL110S

Bourns

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C。

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KBU1010-G

Comchip Technology · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 KBU-4 封装。

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GBU802

Diodes Incorporated · 封装：GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。

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GBU6J-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。

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GBU4G-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。

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RS401GL-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：RS-4L

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 RS-4L 封装。

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VUO35-16NO7

IXYS · 封装：PWS-A-5

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.01 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-A-5 封装。

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GBPC1508

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。

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GBJ1508-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。

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GBPC3510-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-4 封装。

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Z4GP206L-HF

Comchip Technology · 封装：ABS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.92 V，采用 ABS-4 封装。

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DF10-G

Comchip Technology · 封装：DF-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DF-4 封装。

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VS-GBPC3508A

Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-A

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-A 封装。

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GBPC1202W

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。

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GBU601

Diodes Incorporated · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。

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GBJ1010-F

Diodes Incorporated · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。

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VS-KBPC102

Vishay Semiconductors · 封装：D-46

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 55 A，采用 D-46 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。