SDB107-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SDB-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SDB-1 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录VS-26MT80
Vishay Semiconductors · 封装：D-34A
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.26 V、最大浪涌电流 375 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34A 封装。GBU8K-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBPC1210
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。VS-36MB80A
Vishay Semiconductors · 封装：D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.14 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34 封装。DF005S1
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SDIP-4L 封装。DF02S1
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SDIP-4L 封装。VS-36MB160A
Vishay Semiconductors · 封装：D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 155 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-34 封装。VS-160MT120KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.49 V、最大浪涌电流 1500 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 INT-A-PAK 封装。DLPA006-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 85 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 4 A、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-363 封装。GBU15K-BP
Micro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 800V,15AVS-36MT80
Vishay Semiconductors · 封装：D-63
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.19 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-63 封装。GBPC1502
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。B250C1500G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 40 C，采用 WOG-4 封装。PB64-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：PB-6
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 PB-6 封装。GBU4J-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。VUO25-16NO8
IXYS · 封装：FO-B-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 0.94 V、最大浪涌电流 380 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-B-5 封装。GBJ1006-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A，采用 GBJ-4 封装。KBP01G
Diodes Incorporated · 封装：KBP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 65 C，采用 KBP 封装。DB101-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：DB-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DB-1 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。