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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

GBU604

Diodes Incorporated · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

DF005S-T

Diodes Incorporated · 封装:DFS

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C,采用 DFS 封装。

BR106-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装:PB-6-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 PB-6-4 封装。

VS-36MB120A

Vishay Semiconductors · 封装:D-34

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压(Vf) 1.14 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C,采用 D-34 封装。

FUO22-16N

IXYS · 封装:i4-Pac-5

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压(Vf) 1.12 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 i4-Pac-5 封装。

DF1501S

Diodes Incorporated · 封装:DFS

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C,采用 DFS 封装。

DB105-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装:DB-1

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C,采用 DB-1 封装。

DB105-G

Comchip Technology · 封装:DBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DBS-4 封装。

MB2S-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装:MBS-1

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 500 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 35 A,采用 MBS-1 封装。

FUS45-0045B

IXYS · 封装:ISOPLUS I4-PAC

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、峰值反向电压 45 V、正向电压(Vf) 0.65 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 ISOPLUS I4-PAC 封装。

GBPC1204

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:GBPC

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流(If) 12 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A,采用 GBPC 封装。

GBJ2010-F

Diodes Incorporated · 封装:GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBJ 封装。

DF01S1

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SDIP-4L

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 35 A,采用 SDIP-4L 封装。

GBPC5010W-G

Comchip Technology · 封装:GBPC-W

主要参数包括端接方式 Quick Connect、正向电流(If) 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 450 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC-W 封装。

GBU4M-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装:GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。

KBPC5010W-G

Comchip Technology · 封装:KBPC-W-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-W-4 封装。

DB107-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装:DB-1-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A,采用 DB-1-4 封装。

KBPC3502-G

Comchip Technology · 封装:KBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。

PB610-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装:PB-6

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 PB-6 封装。

MP1010G-G

Comchip Technology · 封装:MP8-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 MP8-4 封装。

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