GBU604
Diodes Incorporated · 封装:GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diodes Incorporated · 封装:GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。Diodes Incorporated · 封装:DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C,采用 DFS 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:PB-6-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 PB-6-4 封装。Vishay Semiconductors · 封装:D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压(Vf) 1.14 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C,采用 D-34 封装。IXYS · 封装:i4-Pac-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压(Vf) 1.12 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 i4-Pac-5 封装。Diodes Incorporated · 封装:DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C,采用 DFS 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:DB-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C,采用 DB-1 封装。Comchip Technology · 封装:DBS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DBS-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:MBS-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 500 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 35 A,采用 MBS-1 封装。IXYS · 封装:ISOPLUS I4-PAC
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、峰值反向电压 45 V、正向电压(Vf) 0.65 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 ISOPLUS I4-PAC 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流(If) 12 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A,采用 GBPC 封装。Diodes Incorporated · 封装:GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBJ 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 35 A,采用 SDIP-4L 封装。Comchip Technology · 封装:GBPC-W
主要参数包括端接方式 Quick Connect、正向电流(If) 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 450 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC-W 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。Comchip Technology · 封装:KBPC-W-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-W-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:DB-1-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A,采用 DB-1-4 封装。Comchip Technology · 封装:KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBPC-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:PB-6
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 PB-6 封装。Comchip Technology · 封装:MP8-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 MP8-4 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。