VUO160-16NO7
IXYS · 封装：PWS-E-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 1.8 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-5 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DB102-G
Comchip Technology · 封装：DB-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DB-4 封装。GBL410
Diodes Incorporated · 封装：GBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。GBPC1504W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。KBJ410G
Diodes Incorporated · 封装：KBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 65 C，采用 KBJ 封装。DF04S1
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SDIP-4L 封装。VUO190-18NO7
IXYS · 封装：PWS-E-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.8 kV、正向电压（Vf） 0.96 V、最大浪涌电流 2.8 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-5 封装。VS-36MT100
Vishay Semiconductors · 封装：D-63
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.19 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-63 封装。VUO68-16NO7
IXYS · 封装：ECO-PAC 1
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.46 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 1 封装。GBU801
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。DF08S-T
Diodes Incorporated · 封装：DFS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFS-4 封装。DF1502S-T
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。GBPC35005
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。GBJ1508-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。KBL408-G
Comchip Technology · 封装：KBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBL-4 封装。GBPC2501W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。UC3610N
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括工作温度范围 0 C to + 70 C、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最小工作温度 0 C，采用 PDIP-8 封装。GBPC1206
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC1201
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC3501W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。