GBU6A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DF1508S
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。KBJ408G
Diodes Incorporated · 封装：KBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 65 C，采用 KBJ 封装。VUO86-16NO7
IXYS · 封装：ECO-PAC 1-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.06 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 ECO-PAC 1-5 封装。DF15005S-T
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。GBJ2508-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。VS-2KBP02
Vishay Semiconductors · 封装：D-44
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 63 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-44 封装。GBJ2506-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。GBJ2504-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。GBJ1506-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。VUO52-16NO1
IXYS · 封装：V1-A-Pack-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.07 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 40 C，采用 V1-A-Pack-5 封装。KBP08G
Diodes Incorporated · 封装：KBP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 KBP-4 封装。GBU8J-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBPC1510
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC5006-G
Comchip Technology · 封装：GBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-4 封装。DF08S2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 85 A，采用 SDIP-4L 封装。DF06S1
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SDIP-4L 封装。RH06-T
Diodes Incorporated · 封装：MiniDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 30 A，采用 MiniDIP-4 封装。DF06-G
Comchip Technology · 封装：DF-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DF-4 封装。LMB6S-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。