DF206ST-G
Comchip Technology · 封装：DFS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBPC3501
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。VUO36-16NO8
IXYS · 封装：FO-B-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-B-5 封装。GBPC15005
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。KBPC3510-G
Comchip Technology · 封装：KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBPC-4 封装。VS-2KBP06
Vishay Semiconductors · 封装：D-44
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 63 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-44 封装。GBPC5010-G
Comchip Technology · 封装：GBPC-G
主要参数包括端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 450 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-G 封装。GBU404
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。KBP10G
Diodes Incorporated · 封装：KBP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 KBP 封装。KBP2005G
Diodes Incorporated · 封装：KBP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 65 A、最小工作温度 - 65 C，采用 KBP 封装。DF02S2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 85 A，采用 SDIP-4L 封装。GBJ3508-BP
Micro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 800V, 35ACDBHD1100L-G
Comchip Technology · 封装：TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 0.75 V，采用 TO-269AA-4 封装。GBPC1202
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。DF10S1
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SDIP-4L 封装。SDB207-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1 kV、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C。DF005S2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 85 A，采用 SDIP-4L 封装。GBPC3506W-G
Comchip Technology · 封装：GBPC-W-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-W-4 封装。VUO190-16NO7
IXYS · 封装：PWS-E-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 0.96 V、最大浪涌电流 2.8 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-5 封装。GBU804
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。