GBU6J
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录VS-36MT160
Vishay Semiconductors · 封装：D-63
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.19 V、最大浪涌电流 475 A，采用 D-63 封装。FUO22-12N
IXYS · 封装：ISOPLUS i4-PAC
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ISOPLUS i4-PAC 封装。GBPC2508W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。GBU1010
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU1006
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU606
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU610
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU608
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU808
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU408
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU406
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。VS-36MT120
Vishay Semiconductors · 封装：D-63
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.19 V、最大浪涌电流 475 A，采用 D-63 封装。GBU4G
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。GBPC2501
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。DF01S2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 85 A，采用 SDIP-4L 封装。DF1501S-T
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFS 封装。VBE60-06A
IXYS · 封装：SOT-227B
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.54 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-227B 封装。DFB2060
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TS-6P
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P 封装。GBU8A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。