GBU810
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBPC3504W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC3506W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC2502W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC2504
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC25005
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC2510
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC2510W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC1506W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC1506
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC3502
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。GBPC3510W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC3502W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC2508
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC2506
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC3508
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。GBPC3506
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。GBPC3504
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。GBPC2506W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。MB1S-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：MBS-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS-1 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。