GBU2510-G
Comchip Technology · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DB107-G
Comchip Technology · 封装：DB-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DB-4 封装。KBL406-G
Comchip Technology · 封装：KBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBL-4 封装。GBPC2502
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC2504W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC3508W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。MB6S-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：MBS-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS-1 封装。KBL08-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBL 封装。GBPC1510W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。GBU6D
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。DF04S2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 85 A，采用 SDIP-4L 封装。MDB8S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MicroDIP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 560 V，采用 MicroDIP 封装。DF06S2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 85 A，采用 SDIP-4L 封装。DF02M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 PDIP-4 封装。DF005M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：DIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DIP-4 封装。DF01M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 PDIP-4 封装。DF01S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4 SMD
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SDIP-4 SMD 封装。DF04M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 PDIP-4 封装。DF08M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 PDIP-4 封装。DF10S2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 85 A，采用 SDIP-4L 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。