GBU8K
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBJ2506-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。GBU8D
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。GBU6B
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。GBU8J
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。GBU6G
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。DF08S
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。DF1510S
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。GBU4K
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。KBL10-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBL 封装。DF04S
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。DF06S
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。GBU4J
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。GBJ1506-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。DF02S
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。DF01S
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。DF005S
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。DF1506S
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。DB106-G
Comchip Technology · 封装：DB-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DB-4 封装。KBPC5010-G
Comchip Technology · 封装：KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBPC-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。