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199,570 条型号记录
每页 20 条

BR101-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：PB-6-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 PB-6-4 封装。
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GBJ2506-G

Comchip Technology · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。
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GBU15005-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。
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S1NBC80-7062

Shindengen · 封装：1NA

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 840 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 60 A，采用 1NA 封装。
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KBU1008-G

Comchip Technology · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 KBU-4 封装。
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D2SB60-7000

Shindengen · 封装：2S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 40 C，采用 2S 封装。
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D2SB60A-7000

Shindengen · 封装：2S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 120 A、最大工作温度 + 150 C，采用 2S 封装。
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KBU1002-G

Comchip Technology · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 KBU-4 封装。
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KBU1001-G

Comchip Technology · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 KBU-4 封装。
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D5SB60-7000

Shindengen · 封装：5S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最大工作温度 + 150 C，采用 5S 封装。
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MB1S

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SOIC-4 封装。
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MB4S

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SOIC-4 封装。
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KBP202G

Diodes Incorporated · 封装：KBP

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 65 A、最小工作温度 - 65 C，采用 KBP 封装。
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DF005M

Diodes Incorporated · 封装：DFM

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFM 封装。
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HDS20M-13

Diodes Incorporated · 封装：HDS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 110 A，采用 HDS-4 封装。
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MB2S

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SOIC-4 封装。
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DF04M

Diodes Incorporated · 封装：DIP-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DIP-4 封装。
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DF02M

Diodes Incorporated · 封装：DFM

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFM 封装。
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