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分立与功率器件

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199,570 条型号记录
每页 20 条

KBPC1004W-G

Comchip Technology · 封装：KBPC-W

主要参数包括端接方式 通孔安装，采用 KBPC-W 封装。
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D3SB80-7000

Shindengen · 封装：3S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 120 A、最大工作温度 + 150 C，采用 3S 封装。
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GBJ2508-G

Comchip Technology · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。
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GBJ2502-G

Comchip Technology · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。
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GBJ2504-G

Comchip Technology · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。
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D3SBA60-7000

Shindengen · 封装：3S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2.3 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 80 A，采用 3S 封装。
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GBU807HD2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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D3SB60-7000

Shindengen · 封装：3S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 120 A、最大工作温度 + 150 C，采用 3S 封装。
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S2VB60-5000

Shindengen · 封装：S-2VB

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 40 A，采用 S-2VB 封装。
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BR104-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：PB-6-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 PB-6-4 封装。
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GBU2504-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。
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BR1005-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：$2.61

采用 $2.61 封装。
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MP10005G-G

Comchip Technology · 封装：MP8-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 MP8-4 封装。
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