芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

GBU802-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。

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GBU806-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。

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US15KB80R-7000

Shindengen · 封装：D6K

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 330 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D6K 封装。

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S1NBC60-7062

Shindengen · 封装：1NA

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 840 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 60 A，采用 1NA 封装。

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GBU410-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。

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S1NB80-7101

Shindengen · 封装：1N

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C，采用 1N 封装。

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S1NB80-7062

Shindengen · 封装：1N

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GBL08-G

Comchip Technology · 封装：2GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 2GBJ-4 封装。

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GBU401-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。

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GBU406-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。

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GBU8D-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。

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D2SBA60-7000

Shindengen · 封装：2S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 60 A、最大工作温度 + 150 C，采用 2S 封装。

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GBU10B-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。

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GBU1502-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 GBU-4 封装。

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S1WB(A)60B-7062

Shindengen · 封装：1W

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 40 C，采用 1W 封装。

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LN1WBA60-7102

Shindengen · 封装：1W

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最大工作温度 + 150 C，采用 1W 封装。

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D6SB60L-7000

Shindengen · 封装：5S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最大工作温度 + 150 C，采用 5S 封装。

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GBU610-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。

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GBU608-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。

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D50XB80-7000

Shindengen · 封装：TSB-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 600 A、最大工作温度 + 150 C，采用 TSB-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。