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199,570 条型号记录
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Z4GP210L-HF

Comchip Technology · 封装：ABS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.92 V，采用 ABS-4 封装。
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CDBHM250L-HF

Comchip Technology · 封装：MBS-2-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 0.7 V，采用 MBS-2-4 封装。
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Z4GP210-HF

Comchip Technology · 封装：ABS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.95 V，采用 ABS-4 封装。
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CDBHM230L-G

Comchip Technology · 封装：MBS-2-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 30 V、正向电压（Vf） 0.55 V、最大浪涌电流 50 A，采用 MBS-2-4 封装。
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CDBHM230L-HF

Comchip Technology · 封装：MBS-2-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 30 V、正向电压（Vf） 0.55 V，采用 MBS-2-4 封装。
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KBP208G-G

Comchip Technology · 封装：KBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 KBP-4 封装。
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KBP2005G-G

Comchip Technology · 封装：KBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 KBP-4 封装。
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DF1508ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。
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DF1510ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。
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GBJ25005-G

Comchip Technology · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。
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D5SB80-7000

Shindengen · 封装：5S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最大工作温度 + 150 C，采用 5S 封装。
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S1ZB80-7102

Shindengen · 封装：1Z

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C，采用 1Z 封装。
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SC50VB160-G

Comchip Technology · 封装：SCVB-5

主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SCVB-5 封装。
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SC50VB80-G

Comchip Technology · 封装：SCVB-5

主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 SCVB-5 封装。
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GBU606-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。
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GBU810-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。
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GBU808-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。
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UD2KB80-7000

Shindengen · 封装：D3K

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 62 A，采用 D3K 封装。
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GBU804-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。
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