DF208-G
Comchip Technology · 封装：DFS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DF06S-HF
Comchip Technology
Bridge Rectifiers DIODE SMD DFS BRIDGE RECTIFIER 1A 600VDF201-G
Comchip Technology · 封装：DFS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。MB10S-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 1000 V、最大浪涌电流 35 A、最大工作温度 + 150 C。DF06ST-HF
Comchip Technology
Bridge Rectifiers DIODE SMD DFS BRIDGE RECTIFIER 1A 600VS1ZB60-7101
Shindengen · 封装：1Z
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C，采用 1Z 封装。D1UBA80-7062
Shindengen · 封装：SOPA- 4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C，采用 SOPA- 4 封装。UD4KB100-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：D3K-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 135 A，采用 D3K-4 封装。S1WB(A)80-7101
Shindengen · 封装：1W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 1W 封装。S1NB60-7101
Shindengen · 封装：1N
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C，采用 1N 封装。S1NB60-7102
Shindengen · 封装：1N
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C，采用 1N 封装。S1NB60-7062
Shindengen · 封装：1N
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C，采用 1N 封装。GBU6K-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。KBL401-G
Comchip Technology · 封装：KBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 KBL-4 封装。KBL402-G
Comchip Technology · 封装：KBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 KBL-4 封装。S1WB(A)60-7102
Shindengen
Bridge Rectifiers Bridge DiodeS1WB(A)60-7062
Shindengen
Bridge Rectifiers Bridge DiodeS1WB(A)60-7101
Shindengen
Bridge Rectifiers Bridge DiodeS1ZB80-7072
Shindengen · 封装：1Z
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C，采用 1Z 封装。GBU4K-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。