芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

DF1502ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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DF202S-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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DB101-G

Comchip Technology · 封装：DB-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DB-4 封装。

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DB103-G

Comchip Technology · 封装：DB-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DB-4 封装。

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DB104-G

Comchip Technology · 封装：DB-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DB-4 封装。

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DF10ST-HF

Comchip Technology

Bridge Rectifiers DIODE SMD DFS BRIDGE RECTIFIER 1A 1000V

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DF1510S-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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DF10S-HF

Comchip Technology

Bridge Rectifiers DIODE SMD DFS BRIDGE RECTIFIER 1A 1000V

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DF02-G

Comchip Technology · 封装：DF-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DF-4 封装。

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B2S-G

Comchip Technology

Bridge Rectifiers VR=200V, IO=0.8A

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DF08S-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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LMB10S-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C。

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LMB8S-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C。

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MB8S-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 800 V、最大浪涌电流 35 A、最大工作温度 + 150 C。

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B1S-G

Comchip Technology

Bridge Rectifiers VR=100V, IO=0.8A

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B8S-G

Comchip Technology

Bridge Rectifiers VR=800V, IO=0.8A

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DF01S-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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B2S-HF

Comchip Technology

Bridge Rectifiers VR=200V, IO=0.8A

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DF10ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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DF2005-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。