VUO50-08NO3
IXYS · 封装：FO-F-B
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.9 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 40 C，采用 FO-F-B 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录VBO30-12NO7
IXYS · 封装：PWS-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 2.2 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-A 封装。VUO30-18NO3
IXYS · 封装：FO-F-B
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 2.55 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 FO-F-B 封装。VUO34-08NO1
IXYS · 封装：V1-A-Pack
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.51 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 130 C，采用 V1-A-Pack 封装。VUO30-14NO3
IXYS · 封装：FO-F-B
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 2.55 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 FO-F-B 封装。APT30DF100HJ
Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers DOR CC0027VUO30-12NO3
IXYS · 封装：FO-F-B
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 2.55 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 FO-F-B 封装。VBO13-12AO2
IXYS · 封装：FO-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-A 封装。DMA150YA1600NA
IXYS
Bridge Rectifiers Standard RectifierDMA150YC1600NA
IXYS · 封装：Details
采用 Details 封装。VBO20-12AO2
IXYS · 封装：FO-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-A 封装。VUO30-08NO3
IXYS · 封装：FO-F-B
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.01 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-F-B 封装。VGO36-16IO7
IXYS · 封装：ECO-PAC 1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.45 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 1 封装。VUE22-12NO7
IXYS · 封装：ECO-PAC 1
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 2.92 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 1 封装。VBO13-08NO2
IXYS · 封装：FO-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 40 C，采用 FO-A 封装。DF08-G
Comchip Technology · 封装：DF-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DF-4 封装。ABS10-G
Comchip Technology
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DF01-G
Comchip Technology · 封装：DF-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DF-4 封装。DF202ST-G
Comchip Technology · 封装：DFS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。DF1504ST-G
Comchip Technology · 封装：DFS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。