VUB116-16NOXT
IXYS
主要参数包括单件重量 6.278765 oz。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录APTDR90X1601G
Microchip / Microsemi · 封装：SP-1-12
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流（If） 90 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 850 A、最小工作温度 - 40 C，采用 SP-1-12 封装。VUO190-12NO7
IXYS · 封装：PWS-E-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 0.96 V、最大浪涌电流 2.8 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-5 封装。VBO160-12NO7
IXYS · 封装：PWS-E-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.43 V、最大浪涌电流 2800 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-1 封装。VBO130-18NO7
IXYS · 封装：PWS-E-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 1.65 V、最大浪涌电流 1800 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-1 封装。VUO125-16NO7
IXYS · 封装：PWS-C
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 1800 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-C 封装。VBO105-16NO7
IXYS · 封装：PWS-C
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw Terminal、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 1500 A、最小工作温度 - 40 C，采用 PWS-C 封装。VBO130-16NO7
IXYS · 封装：PWS-E-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.65 V、最大浪涌电流 1800 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-1 封装。VUO160-14NO7
IXYS · 封装：PWS-E-1
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.65 V、最大浪涌电流 1800 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-1 封装。VUO121-16NO1
IXYS · 封装：E2
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.55 V、最大浪涌电流 650 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 E2 封装。VUM33-06PH
IXYS · 封装：V1-B-Pack-8
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 57 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.39 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C，采用 V1-B-Pack-8 封装。VS-52MT160KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：MTK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流（If） 55 A、峰值反向电压 1600 V、最大浪涌电流 390 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 MTK 封装。VUO82-14NO7
IXYS · 封装：PWS-D
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-D 封装。VUE130-12NO7
IXYS · 封装：ECO-PAC 2-7
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 2.7 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 ECO-PAC 2-7 封装。VUO52-20NO1
IXYS · 封装：V1-A-Pack
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 2000 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 130 C、长度 63 mm，采用 V1-A-Pack 封装。APT75DL120HJ
Microchip / Microsemi · 封装：SOT-227-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 75 A、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.6 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-227-4 封装。VUB72-16NOXT
IXYS · 封装：V1-A-Pack
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流（If） 75 A、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 600 A、最小工作温度 - 40 C，采用 V1-A-Pack 封装。VUO52-22NO1
IXYS
Bridge Rectifiers 3 Phase Rectifier BridgeVUO55-12NO7
IXYS · 封装：PWS-B
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-B 封装。VBO72-12NO7
IXYS · 封装：PWS-D
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-D 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。