VS-26MB60A
Vishay Semiconductors · 封装:D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.11 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C,采用 D-34 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Vishay Semiconductors · 封装:D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.11 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C,采用 D-34 封装。IXYS · 封装:FO-B-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压(Vf) 0.93 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 FO-B-5 封装。IXYS · 封装:FO-B-B
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压(Vf) 2.2 V、最大浪涌电流 380 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 FO-B-B 封装。IXYS · 封装:FO-B-B
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压(Vf) 1.7 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 FO-B-B 封装。IXYS · 封装:FO-B-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 0.94 V、最大浪涌电流 380 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 FO-B-5 封装。IXYS · 封装:FO-B-B
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 2.2 V、最大浪涌电流 380 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 FO-B-B 封装。IXYS · 封装:FO-B-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 0.93 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 FO-B-4 封装。Vishay Semiconductors · 封装:D-72
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 137 A,采用 D-72 封装。Vishay Semiconductors · 封装:D-72
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.2 V、最大浪涌电流 137 A,采用 D-72 封装。IXYS · 封装:ISOPLUS i4-PAC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、峰值反向电压 1200 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 100 A、最小工作温度 - 55 C,采用 ISOPLUS i4-PAC 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC-W 封装。IXYS · 封装:ECO-PAC 2
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压(Vf) 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C,采用 ECO-PAC 2 封装。IXYS · 封装:PWS-C
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw Terminal、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.6 V、最大浪涌电流 1500 A、最小工作温度 - 40 C,采用 PWS-C 封装。IXYS · 封装:V2-Pack
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压(Vf) 1.09 V、最大浪涌电流 1.1 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 V2-Pack 封装。IXYS · 封装:PWS-E-1
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压(Vf) 1.9 V、最大浪涌电流 1200 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 PWS-E-1 封装。IXYS · 封装:PWS-E-1
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.9 V、最大浪涌电流 1200 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 PWS-E-1 封装。IXYS · 封装:PWS-D
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压(Vf) 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 PWS-D 封装。IXYS · 封装:PWS-D
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压(Vf) 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 PWS-D 封装。IXYS · 封装:E2-Pack
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流(If) 48 A、峰值反向电压 1.7 kV、正向电压(Vf) 2.75 V、最大浪涌电流 1.1 kA、最小工作温度 - 40 C,采用 E2-Pack 封装。IXYS
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