VS-1KAB05E
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers Bridges - 1KAB分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录VS-2KBP01
Vishay Semiconductors · 封装：D-44
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 63 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-44 封装。GSIB6A60-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GSIB-5S 封装。GBU1008
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBPC1504
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。VS-2KBB60
Vishay Semiconductors · 封装：D-37
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-37 封装。GBPC1210W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。KBU4M-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。KBU4K-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。KBU4B-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。KBU4J-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。DFB2080
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TS-6P
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P 封装。BU1006A5S-M3/45
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers 10A,600V,STD,INLINE POWER BRIDGEGBPC1508W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC25005W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。KBU6A-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。KBU6G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。KBU6B-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。KBU6K-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。GBPC1501
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。