VS-1KAB60E
Vishay Semiconductors · 封装：Three Phase Bridge
主要参数包括端接方式 通孔安装、型号别名 1KAB60E，采用 Three Phase Bridge 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录GBL08-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。G2SB60-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。GBL06-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。GBL005-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。DFB2040
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TS-6P
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P 封装。DFB2580
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TS-6P
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P 封装。GBJ1004-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。BU10065S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。VS-1KAB100E
Vishay Semiconductors
主要参数包括单件重量 0.105822 oz。DFB2560
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TS-6P
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P 封装。KBJ608G
Diodes Incorporated · 封装：KBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 KBJ 封装。GBU8K-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。BU12065S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。GBU10005
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。G5SBA20-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。DFB20100
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TS-6P
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P 封装。DFB2020
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TS-6P
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P 封装。GBPC1501W
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。DFB2010
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TS-6P
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。