VS-36MT20
Vishay Semiconductors · 封装：D-63
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.19 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-63 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录GBJ25G
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。RABF1510-13
Diodes Incorporated · 封装：SOPA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOPA-4 封装。VS-GBPC2512W
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。VS-160MT80KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.49 V、最大浪涌电流 1500 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 INT-A-PAK 封装。KBJ1506
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V，采用 KBJ-4 封装。VS-100MT160PBPBF
Vishay Semiconductors · 封装：MTP
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.51 V、最大浪涌电流 470 A、最小工作温度 - 40 C，采用 MTP 封装。DF02MA-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFM
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFM 封装。2W01G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 WOG-4 封装。B125C800G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 45 A、最小工作温度 - 40 C，采用 WOG-4 封装。MB2M-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：MBM-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Leads、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MBM-4 封装。DFL1510S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。GBU8KS
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4L 封装。GBU4A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。GBL410_HF
Diodes Incorporated · 封装：GBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。GBU6M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。KBP310G
Diodes Incorporated · 封装：KBP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 90 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBP-4 封装。TT410-13
Diodes Incorporated · 封装：TT-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.91 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TT-4 封装。GBL08-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。GBU4M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。