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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

KBU406

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V，采用 KBU-4 封装。
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VUO160-08NO7

IXYS · 封装：PWS-E-5

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 1.8 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-5 封装。
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VS-160MT160KPBF

Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.49 V、最大浪涌电流 1500 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 INT-A-PAK 封装。
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DF210-G

Comchip Technology · 封装：DF-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DF-4 封装。
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VS-26MT120

Vishay Semiconductors · 封装：D-34A

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.26 V、最大浪涌电流 375 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34A 封装。
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VS-26MT60

Vishay Semiconductors · 封装：D-34A

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.26 V、最大浪涌电流 375 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34A 封装。
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KBU8B-E4/51

Vishay Semiconductors · 封装：KBU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。
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Z4DGP408L-HF

Comchip Technology · 封装：Z4-D-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.9 V，采用 Z4-D-4 封装。
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VUO190-08NO7

IXYS · 封装：PWS-E-1

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.43 V、最大浪涌电流 2800 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-1 封装。
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GBL01-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：GBL

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
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VS-GBPC2502A

Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-A

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-A 封装。
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GBJ1510-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。
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VUB160-16NOXT

IXYS · 封装：V2-Pack

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流（If） 220 A、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.16 V、最大浪涌电流 935 A、反向电流（Ir） 50 uA，采用 V2-Pack 封装。
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VUO25-12NO8

IXYS · 封装：FO-B-5

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 0.94 V、最大浪涌电流 380 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-B-5 封装。
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VUO82-12NO7

IXYS · 封装：PWS-D-5

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 0.99 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-D-5 封装。
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VS-100MT160PAPBF

Vishay Semiconductors · 封装：MTP

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.51 V、最大浪涌电流 470 A、最小工作温度 - 40 C，采用 MTP 封装。
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KBU1506

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V，采用 KBU-4 封装。
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RS402GL-BP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括单件重量 0.204589 oz。
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