DF02S-T
Diodes Incorporated · 封装：DFS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFS-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录HD02-T
Diodes Incorporated · 封装：MINI-DIP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 MINI-DIP 封装。HD01-T
Diodes Incorporated · 封装：MINI-DIP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MINI-DIP 封装。HD04-T
Diodes Incorporated · 封装：MINI-DIP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 MINI-DIP 封装。MDB10S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MicroDIP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1 kV、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 700 V，采用 MicroDIP 封装。MDB6S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MicroDIP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 420 V，采用 MicroDIP 封装。DF04S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SDIP-4 封装。DF06M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 PDIP-4 封装。HD06-T
Diodes Incorporated · 封装：MINI-DIP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 MINI-DIP 封装。GBPC3510
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。GBU806
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU410
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。VS-GBPC3512A
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-A 封装。KBU8K-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。DF1510S-T
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFS 封装。GBJ25M
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。KBU8M-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。KBU8J-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。KBJ1510
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1000 V，采用 KBJ-4 封装。GBJ35M
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6.8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 500 A，采用 GBJ-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。