DF10M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 PDIP-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DF06S-T
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。DF10S-T
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DFS 封装。MB8S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SOIC-4 封装。DF02S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SDIP-4 封装。MB6S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SOIC-4 封装。DF06S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SDIP-4 封装。DF01S-T
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFS 封装。DF04S-T
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFS 封装。DF10S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SDIP-4 封装。KBP208G
Diodes Incorporated · 封装：KBP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 65 A、最小工作温度 - 65 C，采用 KBP 封装。KBP210G
Diodes Incorporated · 封装：KBP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 65 A，采用 KBP 封装。KBL04-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBL 封装。KBU3510-G
Comchip Technology · 封装：KBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBU-4 封装。CDBHD2100-G
Comchip Technology · 封装：TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 0.85 V，采用 TO-269AA-4 封装。Z4DGP406L-HF
Comchip Technology · 封装：Z4-D-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.9 V，采用 Z4-D-4 封装。MB4S-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：MBS-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS-1 封装。KBU8G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。KBL02-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBL 封装。Z4DGP410L-HF
Comchip Technology · 封装：Z4-D-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.9 V，采用 Z4-D-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。