VS-26MB160A
Vishay Semiconductors · 封装：D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录VBO40-08NO6
IXYS · 封装：SOT-227B
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-227B 封装。VUO160-12NO7
IXYS · 封装：PWS-E-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw Terminal、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 1.8 kA、最小工作温度 - 40 C，采用 PWS-E-5 封装。VS-70MT160PAPBF
Vishay Semiconductors · 封装：MTP
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.45 V、最大浪涌电流 398 A、最小工作温度 - 40 C，采用 MTP 封装。VS-40MT160PBPBF
Vishay Semiconductors · 封装：MTP
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.45 V、最大浪涌电流 280 A、最小工作温度 - 40 C，采用 MTP 封装。VS-70MT160PBPBF
Vishay Semiconductors · 封装：MTP
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.45 V、最大浪涌电流 398 A、最小工作温度 - 40 C，采用 MTP 封装。D25XB60-7000
Shindengen · 封装：5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 40 C，采用 5S 封装。US30KB80R-7000
Shindengen · 封装：D-6K
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 1000 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-6K 封装。D25XB80-7000
Shindengen · 封装：5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 40 C，采用 5S 封装。GBJ3510-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括单件重量 0.242438 oz。GBJ2508-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。GBJ2510-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。B10S-G
Comchip Technology · 封装：MBS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 MBS-4 封装。PB66-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：PB-6
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 PB-6 封装。CDBHD140L-G
Comchip Technology · 封装：TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 40 V、正向电压（Vf） 0.44 V，采用 TO-269AA-4 封装。GBU10D-BP
Micro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 200V,10AGBJ1006-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。CDBHD240-G
Comchip Technology · 封装：TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 40 V、正向电压（Vf） 0.5 V，采用 TO-269AA-4 封装。S1ZB60-7072
Shindengen · 封装：1Z
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A，采用 1Z 封装。S1ZB60-7062
Shindengen · 封装：1Z
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C，采用 1Z 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。