CD-MBL210SL
Bourns
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.94 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录CD-MBL110SL
Bourns
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 45 A、最小工作温度 - 55 C。CD-MBL102S
Bourns
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C。CD-HD01
Bourns · 封装：SMD-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 750 mV、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SMD-4 封装。CD-MBL106S
Bourns
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C。CD-MBL206SL
Bourns · 封装：SMD-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.94 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SMD-4 封装。DDB6U180N16RRPB37BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 DDB6U180N16RRP_B37 SP001185846。CD-MBL210S
Bourns · 封装：SMD-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SMD-4 封装。MB10S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-4
主要参数包括端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A、最大工作温度 + 150 C，采用 SOIC-4 封装。KBP206G
Diodes Incorporated · 封装：KBP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 65 A、最小工作温度 - 65 C，采用 KBP 封装。DF1504S-T
Diodes Incorporated · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFS 封装。DF08S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SDIP-4 封装。DFL1508S-E3/77
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。RH04-T
Diodes Incorporated · 封装：MiniDIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 30 A，采用 MiniDIP-4 封装。GBU8B
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。GBJ2006-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。GBJ2510-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ 封装。FBE22-06N1
IXYS · 封装：ISOPLUS i4-PAC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 2 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ISOPLUS i4-PAC 封装。KBU8D-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。DMA90U1800LB-TRR
IXYS
Bridge Rectifiers 3 Phase Rectifier Bridge型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。